თერმო-პასტები

AG ვერცხლის თერმული პასტა ვერცხლის ნაერთებით. ვერცხლის მაღალი თბოგამტარობა ანაზღაურებს ნახშირბადის და სილიციუმის ნაერთების არასაკმარისი თბოგამტარობას.  ქიმიური თვისებები: სითბოს გადამცემი პასტა. ფერი: ვერცხლისფერი. საპოხი შემადგენლობა: სილიკონი + ვერცხლი. წონა: 0,5გრ სამუშაო ტემპერატურა: -30...300°С. თბოგამტარობა: 3,8 W/mK.

AG Extreme უზრუნველყოფს შესანიშნავ თბოგამტარობას ისეთ ნაწილებს შორის, როგორიცაა CPU, GPU, LED-ები, რადიატორები და ვენტილატორები. ნივთიერება არის დიელექტრიკი (არა  გამტარი), რომელიც უზრუნველყოფს დაცვას სხვადასხვა ელექტრული საფრთხისგან. პროდუქტი აკმაყოფილებს SGS, MSDS, ROHS სტანდარტების მოთხოვნებს გამოყენების უსაფრთხოების თვალსაზრისით. ქიმიური თვისებები: სითბოს გადამცემი პასტა. ფერი: ნაცრისფერი. სილიკონის საპოხი,შემადგენლობა: უჟანგავი ფოლადის ნაწილაკები. წონა: 1გრ. სამუშაო ტემპერატურა: -40...300°С. თბოგამტარობა: 6 W/mK.

პასტა აადვილებს სითბოს გადინებას ელექტრონულ ნაწილებსა და რადიატორს შორის.  სილიკონის თერმული პასტის "H" თვისებები: სიმკვრივე (20oC-თვის): 2.58g/cm3. აალების ტემპერატურა: 350° C. გაყინვის წერტილი: -50° С. რეფრაქციული ინდექსი 1.405. სპეციფიკური სითბო (50oC-თვის): 0.243cal/g K. თერმული გამტარეობის კოეფიციენტი( 0 – 150oС-თვის): 0,88 W/m K. სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი: -50 ÷ ~ 250° C. დიელექტრიკული მუდმივი 100 Hz-ზე: 4.7 (±0.1). განივი წინააღმდეგობა Ohm×cm: 5×1014. დიელექტრიკული დანაკარგის ტანგენსი f=100Hz-ზე: 0,020 (±0,003).

პასტა აადვილებს სითბოს გადინებას ელექტრონულ ნაწილებსა და რადიატორს შორის.  სილიკონის თერმული პასტის "H" თვისებები: სიმკვრივე (20oC-თვის): 2.58g/cm3. აალების ტემპერატურა: 350°C. გაყინვის წერტილი: -50 ° С. რეფრაქციული ინდექსი 1.405. სპეციფიკური სითბო (50oC-თვის): 0.243cal/g K. თერმული გამტარეობის კოეფიციენტი( 0 – 150oС-თვის): 0,88 W/m K. სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი: -50 ÷ ~ 250oС. დიელექტრიკული მუდმივი 100 Hz-ზე: 4.7 (±0.1). განივი წინააღმდეგობა Ohm×cm: 5×1014. დიელექტრიკული დანაკარგის ტანგენსი f=100Hz-ზე: 0,020 (±0,003).

პასტა აადვილებს სითბოს გადინებას ელექტრონულ ნაწილებსა და რადიატორს შორის.  სილიკონის თერმული პასტის "H" თვისებები: სიმკვრივე (20oC-თვის): 2.58g/cm3. აალების ტემპერატურა: 350 ° C. გაყინვის წერტილი: -50 ° С. რეფრაქციული ინდექსი 1.405. სპეციფიკური სითბო (50oC-თვის): 0.243cal/g K . თერმული გამტარეობის კოეფიციენტი( 0 – 150oС-თვის):  0,88 W/m K. სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი: -50 ÷ ~ 250oС. დიელექტრიკული მუდმივი 100 Hz-ზე: 4.7 (±0.1). განივი წინააღმდეგობა Ohm×cm: 5×1014. დიელექტრიკული დანაკარგის ტანგენსი f=100Hz-ზე: 0,020 (±0,003).

პასტა აადვილებს სითბოს გადინებას ელექტრონულ ნაწილებსა და რადიატორს შორის.  სილიკონის თერმული პასტის "H" თვისებები: სიმკვრივე (20oC-თვის): 2.58g/cm3. აალების ტემპერატურა: 350 ° C. გაყინვის წერტილი: -50 ° С. რეფრაქციული ინდექსი 1.405. სპეციფიკური სითბო (50oC-თვის): 0.243cal/g K . თერმული გამტარეობის კოეფიციენტი( 0 – 150oС-თვის): 0,88 W/m K. სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი: -50 ÷ ~ 250oС. დიელექტრიკული მუდმივი 100 Hz-ზე: 4.7 (±0.1). განივი წინააღმდეგობა Ohm×cm: 5×1014. დიელექტრიკული დანაკარგის ტანგენსი f=100Hz-ზე: 0,020 (±0,003).