Этот веб-сайт использует файлы cookie

Сообщаем вам, что этот сайт использует собственные, технические и сторонние cookie-файлы, чтобы обеспечить удобство использования нашей веб-страницы и гарантировать высокую функциональность веб-страницы. Продолжая просматривать этот сайт, вы соглашаетесь на использование файлов cookie.

Личная зона
Регистрация
Восстановить пароль

Транзистор MMBF170 LT1G " 6Z " SMD N-FET

Транзистор MMBF170 LT1G
Добавить в избранное
0.70
В наличии
  • Сабуртало, Пр. Ал. Казбеги № 7
  • Дигомский массив, Ул. Нодара Бохуа № 4
Продукт в корзинеПерейти в корзину

Параметры

Мощность: 0.23 W

Постоянное напряжение: 60.00 V

Постоянный ток: 0.50 A

Структура транзистора: MOS N-FET

Тип корпуса: SOT-23

Техническая документация

Транзистор MMBF170 LT1G 6Z SMD N-FET.pdf